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形成钼的金属膜的方法及装置

发明专利有效
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

北条大介; 后藤夕佳; 小野一修; 若林哲

IPC 分类

H10W 20/44 (2026.01)

本公开提供一种形成钼的金属膜的方法及装置,能够形成电阻率小的钼的金属膜。在基板形成钼的金属膜时,实施以下工序:对基板形成钨的金属基底膜;以及对金属基底膜形成所述金属膜。通过对钨的金属基底膜形成钼的金属膜,钼的晶粒尺寸变大,能够形成电阻率小的钼的金属膜。