返回搜索
档案
形成钼的金属膜的方法及装置
发明专利有效
17浏览
12权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
北条大介; 后藤夕佳; 小野一修; 若林哲
IPC 分类
H10W 20/44 (2026.01)
本公开提供一种形成钼的金属膜的方法及装置,能够形成电阻率小的钼的金属膜。在基板形成钼的金属膜时,实施以下工序:对基板形成钨的金属基底膜;以及对金属基底膜形成所述金属膜。通过对钨的金属基底膜形成钼的金属膜,钼的晶粒尺寸变大,能够形成电阻率小的钼的金属膜。
发明人
北条大介; 后藤夕佳; 小野一修; 若林哲
IPC 分类
本公开提供一种形成钼的金属膜的方法及装置,能够形成电阻率小的钼的金属膜。在基板形成钼的金属膜时,实施以下工序:对基板形成钨的金属基底膜;以及对金属基底膜形成所述金属膜。通过对钨的金属基底膜形成钼的金属膜,钼的晶粒尺寸变大,能够形成电阻率小的钼的金属膜。