一种半导体器件及其制备方法

本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在衬底的表面形成多晶硅层，对第二区域上方的多晶硅层进行离子注入，以形成掺杂多晶硅层；在多晶硅层上形成第一介质层；去除位于第一区域上方的多晶硅层和第一介质层，以露出第一区域的衬底表面；形成第二介质层；利用光刻工艺，在第二介质层上形成图案化的掩膜层，掩膜层定义预定形成的第一接触孔和预定形成的第二接触孔的图案；以掩膜层为掩膜，刻蚀第二介质层、衬底和第一介质层以形成第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔延伸至第一区域的衬底中，第二接触孔露出掺杂多晶硅层，对第二介质层刻蚀的过程中，第二介质层相对第一介质层具有更高的刻蚀选择比。