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半导体结构

发明专利有效
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

倪培荣; 吕俊麟; 庄志豪

IPC 分类

H10W 70/65 (2026.01)H10W 70/63 (2026.01)

本发明公开一种半导体结构,包括多个第一晶圆与基底穿孔。多个第一晶圆包括多个连接导线。每个连接导线位于对应的第一晶圆中。基底穿孔穿过多个第一晶圆与多个连接导线的多个端部。多个端部嵌入基底穿孔。