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一种基于MOS晶须-SiO-CNT复合填料改性的高强度阻燃PVC的制备方法
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
左艳梅; 华丽
IPC 分类
C08L 27/06 (2006.01)C08K 9/10 (2006.01)C08K 3/36 (2006.01)C08K 3/04 (2006.01)C08K 7/10 (2006.01)
本发明公开了一种基于MOS晶须‑SiO‑CNT复合填料改性的高强度阻燃PVC的制备方法,其包括以下步骤:S1、制备MOS晶须‑SiO‑CNT复合填料;S2、功能化处理;S3、氯化聚乙烯包覆改性;S4、按重量份计,将100份PVC树脂、14‑27份MOS晶须‑SiO‑CNT复合填料和20‑33份助剂混合,然后倒入混炼机中混炼,得到高强度阻燃PVC。本发明制备的基于MOS晶须‑SiO‑CNT复合填料改性的的PVC材料具有优异的机械强度和阻燃性能,同时还具有很高的抗氧化能力和热稳定性能。