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磁传感器

发明专利有效
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18权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

小岛秀和; 高桥宏和; 齐藤节; 三浦聪

IPC 分类

G01R 33/02 (2006.01)G01R 33/09 (2006.01)

磁传感器具备至少一个MR元件、和构成为产生偏置磁场的至少一个磁场发生体。至少一个磁场发生体具有第一端部和第二端部,并且包含第一部分和第二部分,该第一部分包含第一端部,该第二部分包含第二端部。第一部分中的膜厚大于第二部分中的膜厚。至少一个MR元件具有第三端部及第四端部,且被配置为第一端部与第三端部的间隔小于第二端部与第四端部的间隔。