一种脉冲偏压信号生成方法以及半导体工艺设备

本申请提供一种脉冲偏压信号生成方法以及半导体工艺设备，应用于半导体工艺设备技术领域，该方法获取目标IEDF，该目标IEDF记载多个单峰IEDF以及各单峰IEDF对应的离子量占比和离子能量峰值，并基于各单峰IEDF对应的离子能量峰值和脉冲偏压信号的负跳变幅值确定各单峰IEDF对应的脉冲串所包含脉冲的脉冲占空比，然后按照各脉冲占空比创建相应单峰IEDF对应的脉冲串得到信号序列，最后按照负跳变幅值重复输出信号序列，以输出脉冲偏压信号，相较于现有技术，本申请调节占空比所需时间更短，能够实现脉冲偏压信号的迅速切换，从而控制离子能量按照目标IEDF分布，满足实际工艺需求。