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半导体装置

发明专利有效
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20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

朴台镇; 崔贤根; 林晟洙; 金锡来; 金千培

IPC 分类

H10B 12/00 (2023.01)

一种半导体装置包括:晶体管,在基底上;第一布线结构,在晶体管上并且电连接到晶体管;绝缘图案,延伸穿过基底;第二布线结构,在基底下方;多个贯穿过孔,在绝缘图案中并且在水平方向上彼此间隔开,所述多个贯穿过孔中的每个延伸穿过绝缘图案并接触第一布线结构和第二布线结构中的每个的一部分;位线结构,在第二布线结构下方并且电连接到第二布线结构;栅电极,在位线结构下方并且电连接到第二布线结构;沟道,与栅电极邻近并且接触位线结构;以及电容器,在沟道下方并且电连接到沟道。