半导体结构的制备方法及半导体结构

本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，通过提供基底，基底包括衬底、位于衬底内的源极区和漏极区、位于源极区、漏极区之间的衬底上的栅极结构；于基底上形成介质层，于介质层上形成第一金属互连层，其中，第一金属互连层包括第一绝缘层和贯穿第一绝缘层的栅极金属结构、源极金属结构，栅极金属结构、源极金属结构分别通过接触孔与栅极结构、源极区连接，于第一金属互连层上沉积底电极层，平坦化底电极层，基于底电极层，形成分别与栅极金属结构、源极金属结构对应的第一存储结构和第二存储结构，提高了第一存储结构和第二存储结构中底电极层的平整度，且工艺步骤较少，简化了RRAM的制备流程。