半导体结构及其形成方法

方法包括在第一半导体区域和第二半导体区域上方分别形成第一栅极电介质和第二栅极电介质，在第一栅极电介质和第二栅极介电质上方分别形成包括第一部分和第二部分的第一功函层，图案化第一功函数以去除第一功函层的第二部分，以及在第一栅极电介质和第二栅电介质上方分别形成包括第一部分和第二部分的第二功函层。该方法还包括执行蚀刻工艺以蚀刻第二功函层和第一功函层的第一部分的部分以形成开口，以及在第二功函层上方沉积导电层。导电层填充到开口中。本公开的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。