半导体器件、级联放大器及其形成方法

本申请的实施例公开了半导体器件、级联放大器及其形成方法。半导体器件包括：具有第一导电类型的衬底、形成在衬底内并具有与第一导电类型相反的第二导电类型的阱区、以及基于阱区形成的第一晶体管。第一晶体管包括栅极接触件、具有第一导电类型的漏极接触件、具有第一导电类型的源极接触件和具有第二导电类型的体接触件。半导体器件还包括形成在衬底上方并通过衬底接触件耦合在衬底和接地电压之间的隔离电路。