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半导体器件
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
尹镇灿; 朴宰贤
IPC 分类
H10D 84/85 (2025.01)H10D 84/01 (2025.01)H10B 10/00 (2023.01)
一种半导体器件可以包括：衬底；顺序堆叠在衬底上的第一有源图案和第二有源图案，分别与第一有源图案和第二有源图案相交的第一栅电极和第二栅电极；第一层级源极/漏极图案，在第一栅电极的侧壁上并且连接到第一有源图案；第二层级源极/漏极图案，在第二栅电极的侧壁上并且连接到第二有源图案；第一背侧源极/漏极接触，穿透衬底并连接到第一层级源极/漏极图案；第二背侧源极/漏极接触，穿透衬底并连接到第二层级源极/漏极图案；连接布线图案，连接第一背侧源极/漏极接触和第二背侧源极/漏极接触；以及背侧栅极接触，穿透衬底并连接到第一栅电极和第二栅电极。