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磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法

发明专利有效
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

郭致玮; 黄舜渔; 曾译苇; 陈俊隆; 邱崇益

IPC 分类

H10N 50/10 (2023.01)H10N 50/80 (2023.01)H10N 50/01 (2023.01)

本发明公开一种磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法,其中磁阻式随机存取存储器包含一底电极、一自旋轨道转矩层、一磁隧穿结以及一顶电极。自旋轨道转矩层设置于底电极上,磁隧穿结设置于自旋轨道转矩层上,顶电极设置于磁隧穿结上,其中顶电极包含一金属碳化物层。