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磁传感器及其制造方法

发明专利有效
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16权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

太田宪和; 平林启; 高杉圭祐

IPC 分类

H10N 59/00 (2023.01)H10N 50/80 (2023.01)H10N 50/10 (2023.01)H10N 50/01 (2023.01)

本发明涉及磁传感器及其制造方法。磁传感器具备多个磁轭、多个MR元件、以及多个桥接电路。多个磁轭包含在第一方向上配置于相同位置的多个第一磁轭。多个桥接电路包含在第一方向上配置于互不相同的位置且被配置为夹着多个第一磁轭的第一桥接电路及第二桥接电路。第一桥接电路和第二桥接电路相互并联地连接。