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ONO层的制作方法和炉管机台

发明专利有效
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8权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

周鹏; 种瑞; 金创新; 张宾; 高峰

IPC 分类

H10P 14/692 (2026.01)C23C 16/52 (2006.01)C23C 16/34 (2006.01)C23C 16/40 (2006.01)C23C 16/458 (2006.01)H10P 14/694 (2026.01)

本申请公开了一种ONO层的制作方法和炉管机台,该方法包括:通过传送装置将晶圆从存储腔室传送至炉管机台的晶舟上,晶圆上依次形成有第一氧化物层和氮化物层,在传送晶圆的过程中,使晶圆以穿过其圆心的法线为轴旋转预定角度;通过CVD工艺在氮化物层上沉积形成第二氧化物层,第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层构成ONO层。本申请通过在制作ONO层的第二氧化物层的过程中,在将晶圆从存储腔室传送至炉管机台的晶舟的过程中,使晶圆以穿过其圆心的法线为轴旋转预定角度,从而使沉积第二氧化物层时晶圆与晶舟的接触区域和沉积前两层薄膜时的接触区域错开,避免了晶圆热应力集中,改善了晶圆背面薄膜的脱落现象。