半导体器件的制备方法

本发明提供了一种半导体器件的制备方法。该制备方法中，利用第一倾斜离子注入和第二倾斜离子注入在衬底内形成第一注入区和第二注入区，并使此两个注入区的交叠面积减小，甚至可使此两个注入区间隔设置而存在有未注入区，从而可降低离子总量，用于补偿由阱邻近效应带来的离子增加量，以利于将衬底内的离子总量维持在预期范围内，改善因为阱邻近效应而导致器件的电性能漂移的问题。