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用于半导体计量的入射角及方位角分辨光谱椭偏
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
J·纳特; S·克里许南; H·卡希亚普
IPC 分类
G01N 21/21 (2006.01)G01N 21/25 (2006.01)G01N 21/88 (2006.01)G06N 20/00 (2006.01)G01N 21/17 (2006.01)
本文中呈现用于基于以波长、方位角及入射角分辨的数据集来执行半导体结构的光谱椭偏(SE)测量的方法及系统。在一些实施例中,基于机器学习的测量模型经训练以基于以波长、方位角及入射角分辨的SE测量数据来推断表征受测量结构的一或多个关注参数的经估计值。在一些其它实施例中,对基于物理的测量模型执行回归以估计表征受测量结构的一或多个关注参数的值。集光光束路径中的分散元件使经收集光跨检测器的作用表面分散,以根据波长及一个角尺寸来分辨经收集光。此外,通过所述检测器收集多个图像以跨另一角尺寸分辨经收集光。