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用于电阻式随机存取存储器RERAM的三层选择器设备
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
安托宁·韦尔迪
IPC 分类
H10B 63/00 (2006.01)H10N 70/00 (2006.01)
二极管状结构被用作电阻式随机存取存储器(ReRAM)中电阻开关的选择器。典型地,ReRAM在逻辑上被组织为电阻开关的矩阵结构,该电阻开关以适当的行和列连接在ReRAM之间。二极管状结构用于作为存储单元一部分的行和列的每一个交叉点处。为了在不降低导通电流的情况下提供减少的泄漏电流,二极管状结构包括具有第二厚度的中间硅(Si)层,该中间硅层位于每一个具有第一厚度的两个电介质层之间,其中第二厚度等于或大于第一厚度。