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一种高纯度单壁碳纳米管的制备工艺

发明专利有效
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

陈彬; 张帅; 魏广林

IPC 分类

C01B 32/16 (2017.01)C01B 32/17 (2017.01)

本发明公开了一种高纯度单壁碳纳米管的制备工艺,涉及碳纳米材料技术领域。本发明利用混合气体碳源与液体碳源制备单壁碳纳米管原体,同时气体碳源能够作为载气将液体碳源蒸汽输入反应区,从而保证单壁碳纳米管的完整性,而后选用低沸点溶剂结合水对单壁碳纳米管原体进行纯化处理,使金属杂质暴露在溶剂中,接着,利用电流注入使得低沸点溶剂形成蒸汽层,覆盖在单壁碳纳米管表面,避免单壁碳纳米管被过度破坏,同时暴露的金属杂质在氧化气体中更易被氧化,进而提高酸洗效率,且利用低沸点溶剂与水混合液体的低温缓冲效应可延缓氧化速率,优先使得杂质碳会被氧化,从而实现高效纯化。