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石英件表面纳米柱生长方法及生长装置

发明专利有效
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11权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

余学功; 李蝶; 马海光; 宋晓晓; 张少波; 杨德仁

IPC 分类

C03C 17/28 (2006.01)B82Y 40/00 (2011.01)B82Y 30/00 (2011.01)

本申请涉及半导体表面工程技术领域,尤其涉及一种石英件表面纳米柱生长方法及生长装置。该石英件表面纳米柱生长方法,包括以下步骤:将清洗干净的石英件置于聚合物稳定剂、醇溶剂、盐稳定剂水溶液、催化剂和乙醇形成的混合溶液中10min~60min,使石英件的表面吸附乳液液滴;向混合溶液中滴加二氧化硅前驱体,乳液液滴与二氧化硅前驱体反应,得到表面具有纳米柱的石英件。其能够调控石英件表面纳米柱的形貌和密度,提升石英件表面的附着力。