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基于表面改性的液相熔渗致密化重结晶碳化硅及其制备方法
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
刘岩; 邵庥頔; 刘学建; 黄政仁
IPC 分类
C04B 35/565 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)C04B 35/65 (2006.01)
本发明涉及基于表面改性的液相熔渗致密化重结晶碳化硅及其制备方法。所述基于表面改性的液相熔渗致密化重结晶碳化硅的组成包括：重结晶碳化硅基体材料，位于所述重结晶碳化硅基体材料表面的改性层，以及填充于所述重结晶碳化硅基体材料的多孔中的硅；优选地，所述改性层的组分包括SiO‑SiN固溶体或者热解碳。