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量子点及其制备方法
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
康冬冬; 康永印; 苏玉仙; 余世荣
IPC 分类
C09K 11/62 (2006.01)C09K 11/02 (2006.01)B82Y 20/00 (2011.01)B82Y 30/00 (2011.01)C09K 113/00 (2026.01)
本申请公开了一种量子点及其制备方法，其中量子点包括核心层，第一壳层和第二壳层，核心层为AnInGaS，第一壳层为ZnS，第二壳层为ZnS。本申请的量子点在核心层外侧包覆第一壳层，在第一壳层外侧包覆第二壳层，减少界面缺陷，提升量子点的量子产率和稳定性。