一种过渡金属硫族化合物纳米盘阵列及其制备方法与应用

本发明公开了一种过渡金属硫族化合物纳米盘阵列及其制备方法与应用，该制备方法，包括以下步骤：S1.在衬底上沉积聚合物微球，刻蚀以缩小聚合物微球的直径，得到聚合物微球阵列；S2.在所述聚合物微球阵列表面沉积基底金属，再除去所述聚合物微球及聚合物微球表面的基底金属，得到基底金属纳米孔阵列；S3.使用电子束蒸镀法在所述基底金属纳米孔阵列表面沉积过渡金属，再通过酸腐蚀去除基底金属，得到过渡金属纳米盘阵列；S4.对过渡金属纳米盘阵列进行硫族化退火，即得过渡金属硫族化合物纳米盘阵列。本发明不仅实现了高效制备大面积的过渡金属硫族化合物纳米盘阵列，而且制得的过渡金属硫族化合物纳米盘阵列对可见光和近红外光均具有较强的吸收能力。