掺杂微晶硅层的制作方法、异质结太阳能电池及其制备方法

本发明提供掺杂微晶硅层的制作方法、异质结太阳能电池及其制备方法。所述掺杂微晶硅层的制作方法首先提供PECVD设备，将硅片置于PECVD设备的反应腔中；然后将所述反应腔的压力调整为第一沉积压力，在其中进行掺杂PECVD工艺以在所述硅片上沉积微晶硅种子层，其中所述第一沉积压力范围为1‑2.9mbar；最后将所述反应腔的压力调整为第二沉积压力，在其中进行所述掺杂PECVD工艺以在所述微晶硅种子层上沉积微晶硅主层，其中第二沉积压力范围为3‑10mbar。本发明能提高掺杂微晶硅层质量，改善异质结太阳能电池稳定性，降低异质结太阳能电池的暗衰。