一种GaN器件AC仿真方法、装置、设备以及存储介质

本发明公开了一种GaN器件AC仿真方法、装置、设备以及存储介质，所述方法包括：根据目标GaN器件的栅极仿真电压、漏极仿真电压和源极仿真电压，以及转换系数和训练好的电荷确定模型，确定第一等效电容、第二等效电容和第三等效电容；根据栅极仿真电压、漏极仿真电压、源极仿真电压、第一等效电容、第二等效电容和第三等效电容，确定目标GaN器件的目标栅极电流、目标漏极电流和目标源极电流；根据目标栅极电流、目标漏极电流和目标源极电流，对目标GaN器件对应的原始器件模型进行更新，得到目标器件模型，并根据目标器件模型，基于预设的测试电路，对目标GaN器件进行AC仿真。