基于可变负压与米勒箝位的SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路

本发明公开了基于可变负压与米勒箝位的SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路，属于电力电子技术与电工技术领域。所述电路利用第一电容和第一稳压管并联支路为SiC MOSFET提供驱动负压，利用第一n‑mos管在SiC MOSFET的栅源极间并联一条低阻抗回路，为正向串扰电流提供释放路径，有效抑制桥臂串扰，从而防止SiC MOSFET误导通。在SiC MOSFET的关断瞬态来临之前，通过第一p‑mos管抬升电容第一电容上的驱动负压，缓解负压关断对SiC MOSFET带来的负向串扰恶化的问题，从而预防SiC MOSFET反向击穿。