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存储器器件及其形成方法
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
李佳蓁; 朱韦臻; 吴佳典; 谢艮轩; 古舒云
IPC 分类
H10B 10/00 (2023.01)H10D 84/01 (2025.01)H10D 84/83 (2025.01)
存储器器件包括：第一下部外延源极/漏极区域，邻近第二下部外延源极/漏极区域；第一下部栅电极，邻近第一下部外延源极/漏极区域的第一侧；第二下部栅电极，邻近第二下部外延源极/漏极区域的第二侧，其中，第二侧与第一侧相对；介电层，位于第一下部外延源极/漏极区域、第二下部外延源极/漏极区域、第一下部栅电极和第二下部栅电极下方；第一对接接触件，位于介电层内，其中，第一对接接触件将第一下部外延源极/漏极区域电连接至第二下部栅电极；以及第二对接接触件，位于介电层内，其中，第二对接接触件将第二下部外延源极/漏极区域电连接至第一下部栅电极。本申请的实施例还涉及形成存储器器件的方法。