MOS器件及其制备方法

本申请涉及半导体技术领域，提供了一种MOS器件及其制备方法，其中，MOS器件包括：衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面；外延层，位于第一表面上且具有第一掺杂类型，外延层包括JFET层；阱区，具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，多个阱区在外延层内相互间隔设置，JFET层位于相邻的阱区的间隔中，在外延层的厚度方向上，JFET层靠近衬底一侧的表面与第一表面的间距小于阱区背离衬底一侧的表面与第一表面的间距，JFET层背离衬底一侧的表面与第一表面的间距大于阱区背离衬底一侧的表面与第一表面的间距；源区，位于阱区内且具有第一掺杂类型；栅极结构，位于外延层背离衬底的一侧并至少覆盖JFET层。