改善续流的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善续流的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片，通过设置第一P型阱区形成于顶部外延区中，形成于第一P型阱区上的P型重掺杂区，相邻的第二P型阱区之间由所顶部外延区隔离，至少所述第二P型阱区以P型重掺杂区对称设置，并且第二P型阱区的深度小于第一P型阱区的深度，P型重掺杂区集中在屏蔽区，并且第一电极经屏蔽区内的P型重掺杂区或者P型重掺杂区内的接触孔，以及经肖特基金属层与顶部外延区或者N型漂移区接触，从而在器件内部集成肖特基二极管，增强器件的反向续流特性，降低器件的反向开启电压。