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集成电路器件及其制造方法
发明专利有效
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10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
尤韦翔; 邱宗凯; 吴亭昀; 林俊言; 廖思雅
IPC 分类
H10D 84/85 (2025.01)H10D 84/01 (2025.01)H10D 89/10 (2025.01)
提供了在掩埋电源轨方案下用于电源输送的各个CFET单元内MOL连接。集成电路(IC)器件包括器件堆叠件、顶部接触结构、背侧电源轨和通孔互连件。器件堆叠件包括底部半导体器件和沿方向堆叠在底部半导体器件上方的顶部半导体器件。顶部接触结构位于顶部半导体器件的源极/漏极上方并且与顶部半导体器件的源极/漏极电接触。通孔互连件在顶部接触结构和背侧电源轨之间延伸并且电耦合顶部接触结构和背侧电源轨。通孔互连件沿从背侧电源轨朝着顶部接触结构的方向逐渐变细。本申请的实施例还涉及集成电路器件及其制造方法。