半导体器件及其制造方法

本申请的实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：多个第一栅极结构，沿第一方向布置并在第二方向上延伸，多个第一栅结构中的至少一个第一栅极结构对应于第一晶体管区；多个第二栅极结构，沿第一方向布置，并在第二方向上与第一栅极结构中的第一栅极结构对齐，多个第二栅极结构中的至少一个第二栅结构对应于第二晶体管区；绝缘结构，在第二方向上延伸并将多个第一栅极结构与多个第二栅极结构分离；以及第一导电通孔，位于绝缘结构中，配置为承载用于第一晶体管区的信号。