一种复合型ESD器件

本发明公开了一种复合型ESD器件，属于半导体技术领域，该复合型ESD器件，包括P型衬底；N型阱区，设置在P型衬底的内部，N型阱区中还横向布置有第一N型区和第一P型区，且第一N型区和第一P型区之间具有间隔；P型阱区，设置在N型阱区的一侧，P型阱区中还横向布置有第二N型区和第二P型区，且第二N型区和第二P型区之间具有间隔；侧壁N型区，位于P型阱区和N型阱区之间，其两侧缘分别与P型阱区和N型阱区的侧缘相切；金属区，至少部分地包裹于侧壁N型区中。通过挖槽工艺和侧壁注入工艺，在不增加器件面积的基础上，通过对传统SCR器件结构的改进，增加了侧壁N型区与金属区，实现了单个器件上的低钳位电压性能以及复合型多用途。