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一种太阳电池及其制备方法
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
王怀超; 冉孝超
IPC 分类
H10F 10/17 (2025.01)H10F 77/20 (2025.01)H10F 71/10 (2025.01)C23C 14/16 (2006.01)C23C 14/58 (2006.01)
本发明公开了一种太阳电池及其制备方法,属于太阳电池技术领域。该太阳电池包括硅衬底;该衬底正面设置的第一透明导电层包括由内至外依次层叠设置的第一TCO本体层及第一含In层,第一含In层包括对应栅线区域的第一In单质层及对应非栅线区域的第一InO层;该衬底背面设置的第二透明导电层包括由内至外依次层叠设置的第二TCO本体层及第二含In层,第二含In层包括对应栅线区域的第二In单质层和对应非栅线区域的第二InO层。该太阳电池具有较高的开路电压、短路电流及填充因子。