一种基于布局优化的高CTR与高速光敏晶体管及其制造方法

本发明涉及光敏晶体管领域，具体而言，涉及一种基于布局优化的高CTR与高速光敏晶体管及其制造方法，包括包括：半导体衬底，半导体衬底上依次形成N型外延层、P型基区与N型射区；P型基区包括独立设置的光电传感区与基极主体，光电传感区用于接收光信号并产生载流子，基极主体与N型射区形成PN结，且基极主体的节深与掺杂浓度可根据β值设计需求独立调整；通过将光电传感区与基极主体独立设置，基极主体的节深与掺杂浓度可根据β值设计灵活调整，避免传统共用结构中基极节深受光电转换效率限制的问题，显着提升CTR，且参数稳定性更高，生产效率提升。