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太阳电池及其制备方法、可穿戴设备
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
冉文琎; 刘泉; 陈鑫; 张一峰; 胡逾超
IPC 分类
H10K 30/85 (2023.01)H10K 30/50 (2023.01)H10K 30/40 (2023.01)H10K 71/00 (2023.01)
本申请公开了一种太阳电池及其制备方法、可穿戴设备，该太阳电池包括依次叠层设置的石墨烯层、过渡金属硫化物层、ZnSeTeS量子点层和光吸收层，其中，0.1≤x≤0.5，0.1≤y≤0.5，过渡金属硫化物层的材料包括MoS或WS中的一种或者两种组合。本申请能提升电子传输层的电子迁移率，降低界面缺陷，并同时满足降低制备温度、拓宽光谱响应范围、提升其稳定性等需求。