一种复合衬底及其制备方法

本申请涉及半导体技术领域，提供了一种复合衬底及其制备方法。复合衬底包括4H‑SiC基板，4H‑SiC基板的碳面形成有第一热氧化层。3C‑SiC基板，3C‑SiC基板的表面形成有第二热氧化层。第一热氧化层与第二热氧化层融合形成键合层，以使4H‑SiC基板与3C‑SiC基板键合。并且，键合层用于引发缺陷辅助隧穿。本申请提供的复合衬底可以解决现有技术中3C‑SiC衬底与4H‑SiC衬底直接键合导致界面电阻高的问题。