制造半导体结构的方法

本发明提供一种制造半导体结构的方法，此方法包括以下操作。在基板上形成导电结构。形成钨层以覆盖基板与导电结构。在钨层上形成硬遮罩叠层。图案化硬遮罩叠层。通过硬遮罩叠层蚀刻钨层。移除硬遮罩叠层。在钨层上形成硬遮罩叠层包括以下操作。在钨层上形成碳基层。对碳基层注入碳，使碳基层具有‑0.5 GPa至‑5 GPa的应力。在碳基层上形成硅层。在硅层上形成氧化层。本发明的方法可解决碳基层及其相邻层之间的剥离问题。