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半导体结构、半导体单元及其形成方法

发明专利有效
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

郭修邑; 林志豪

IPC 分类

H10P 72/70 (2026.01)H10H 29/03 (2025.01)

本发明公开一种半导体结构、半导体单元及其形成方法。半导体结构包括底层、支架及半导体元件。底层具有凸部。支架设置于底层上。支架包括接合部、连接部及承载部。接合部与底层的凸部连接。连接部与接合部连接。承载部与连接部连接。半导体元件设置于承载部上。半导体元件暴露接合部与连接部。支架的底表面与底层的顶表面之间具有间隙。