CNIPA.AI
返回搜索
档案

检验太阳能电池缺陷的方法

发明专利有效
10浏览
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

孙林; 潘登

IPC 分类

H10P 74/00 (2026.01)H10P 72/00 (2026.01)H10F 10/10 (2025.01)

本申请提出了一种检验太阳能电池缺陷的方法,其特征在于,包括:S10:对晶硅衬底进行制绒、清洗处理,在所述晶硅衬底的两侧分别形成功能膜层,在所述功能膜层远离所述晶硅衬底的一侧形成第一电极和第二电极,固化,以获得电池片;S20:采用电致发光测试仪或光致发光测试仪对步骤S10获得的所述电池片进行光前分选,以分拣出缺陷电池片和非缺陷电池片。由此,防止有缺陷的电池片进入组件端,提高组件良率。