半导体结构及其制造方法

本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、元件隔离结构以及栅极。所述元件隔离结构设置于所述基底中，以界定出主动区。所述栅极设置于所述元件隔离结构上。所述元件隔离结构包括彼此连接的第一部分与第二部分。所述第一部分位于所述基底中。所述第二部分位于所述第一部分下方。所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度。所述第二部分中包括空穴。所述空穴在所述第二部分的延伸方向上延伸。