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通过聚焦环增强碳膜边缘厚度轮廓可调整性
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
郑慧峰; 康虎; 王栋; 李玉辉; 约瑟夫·林德赛·沃马克; 李明
IPC 分类
C23C 16/458 (2006.01)C23C 16/50 (2006.01)C23C 16/455 (2006.01)
公开了用于控制半导体晶圆边缘区域处的处理均匀性的方法和装置。在一些实施方案中，该方法包括沉积含碳膜。本文还提供聚焦环，包括其可实施为在晶圆边缘处对处理环境进行控制。