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基板处理方法、基板处理装置及硬掩模
发明专利有效
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16权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
清野拓哉; 北田亨; 石桥翔太; 熊仓翔
IPC 分类
H10P 50/24 (2026.01)C23C 14/06 (2006.01)
提供可得到稳定蚀刻形状的基板处理方法、基板处理装置和硬掩模。一种基板处理方法,包括:准备具有含硅膜的基板的工序,以及通过溅射,在所述含硅膜上形成含钨、硅和氮的非晶膜即硬掩模的工序。
发明人
清野拓哉; 北田亨; 石桥翔太; 熊仓翔
IPC 分类
提供可得到稳定蚀刻形状的基板处理方法、基板处理装置和硬掩模。一种基板处理方法,包括:准备具有含硅膜的基板的工序,以及通过溅射,在所述含硅膜上形成含钨、硅和氮的非晶膜即硬掩模的工序。