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用于功率分配的重掺杂半导体器件

发明专利有效
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38权利要求 · 5 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

R·卡特卡尔; C·E·尤佐; B·哈巴

IPC 分类

H10W 70/63 (2026.01)H10W 70/652 (2026.01)H10W 40/25 (2026.01)

一种器件,包括第一集成器件管芯和半导体器件。第一集成器件管芯可以包括管芯绝缘层和至少部分地嵌入该管芯绝缘层中的管芯导电特征。半导体器件可以包括在第一表面上的第一绝缘层、至少部分地嵌入该第一绝缘层中的器件导电特征以及电连接到该器件导电特征的第一重掺杂半导体材料。该管芯导电特征可以穿过至少第一重掺杂半导体材料而连接到功率或接地。