一种高温封装用互锁结构金属-IMC接头制备方法

本发明提供一种高温封装用互锁结构金属‑金属间化合物复合接头制备方法，属于功率芯片高温封装技术领域。该方法通过金属基板刻蚀出微米级图形，将刻蚀后的基板与锡基钎料叠层并进行热压焊接，使原位生成的金属间化合物与基板的突出金属结构形成机械互锁。该结构显著提升焊点力学性能，基板的突出部分为电流和热流提供快速传导通道，增强导电与导热性能，同时接触面积扩大加速金属扩散，可快速形成高性能复合焊点，适用于第三代半导体器件的高温可靠封装。