衬底的加工方法

本发明涉及半导体化学机械抛光（CMP）设备技术领域，具体是衬底的加工方法。本发明提供衬底的加工方法，针对大尺寸衬底平坦化加工困难且良率低的问题，根据来片衬底的面型基础，选择适配的非等厚气膜实现环形多区域不同膜厚度抛光头结构，配合单片CMP设备独立气压调节的分区压力调整能力，在压力响应阶段偏差较小，能够针对性调控大尺寸衬底的面型，从而解决大尺寸衬底边缘“抛不到”或者“过抛”问题，进而实现大尺寸衬底晶圆的表面超精密平坦化加工，衬底TTV最终可稳定控制在1.0 μm以内，尤其适用于第三代半导体碳化硅衬底量产级CMP加工。