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介电陶瓷、制备介电陶瓷的方法及多层陶瓷电容器

发明专利未知
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

李恩瑛; 姜昇勳; 车源熙; 池再勋; 金度勳; 李炅烈; 金微笑; 金亨勇

申请日

Jan 19, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

C04B 35/495 (2006.01)H01G 4/30 (2006.01)H01G 4/12 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)

本公开提供一种介电陶瓷、制备介电陶瓷的方法及多层陶瓷电容器。所述介电陶瓷包括铁氧化物和由化学式1表示的KNN‑SZ化合物。所述介电陶瓷表现出高介电常数和优异的温度稳定性。用于制备所述介电陶瓷的方法包括:通过混合含K化合物、含Na化合物、含Nb化合物、含Sr化合物、含Zr化合物和铁氧化物来制备混合物;焙烧所述混合物并进行压制来制备片;以及烧结所述片以形成所述介电陶瓷。包括包含所述介电陶瓷的介电层的多层陶瓷电容器提供了适用于高温和汽车领域的增强的介电性能和可靠性,[化学式1](1‑x)KNaNbO‑xSrZrO其中,0.10≤x≤0.20,并且0.40≤y≤0.50。