一种高性能碳化硅陶瓷及其制备方法

本发明公开了一种高性能碳化硅陶瓷及其制备方法。本发明碳化硅陶瓷的制备方法，包括如下步骤：S1、将包含碳化硅原料粉、有机粘结剂和分散剂的原料进行湿法球磨混合，经喷雾造粒处理，得到碳化硅造粒粉；S2、将碳化硅造粒粉装入模具中，施加压力进行压制成型，得到陶瓷生坯；S3、将陶瓷生坯置于电场辅助烧结装置中，在真空或惰性气氛下，继续施加压力，首先升温至400～800℃使造粒粉表面的有机粘结剂裂解形成碳层，以在陶瓷生坯内部形成均匀的导电网络，然后施加直流电场，并使电流仅通过陶瓷生坯，继续升温至1500～1700℃进行烧结，得到碳化硅陶瓷材料。本发明可显著降低导电网络导通温度和烧结温度，获得具有优异的力、电等综合性能的碳化硅陶瓷。