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一种颗粒级配增强SiC陶瓷的制备方法

发明专利未知
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

刘芸; 邵长涛; 栾强; 王同同; 崔皓哲; 韦其红; 王洪升; 刘瑞祥

申请日

Sep 3, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

C04B 35/565 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)C04B 35/628 (2006.01)

本发明提供了一种颗粒级配增强SiC陶瓷的制备方法,属于SiC陶瓷领域;所述制备方法包括碳化硅级配、包覆、制备成型粉体、成型煅烧;所述包覆,向无水乙醇中加入硝酸铪、硝酸锆,室温下搅拌10‑15min,加入硝酸镧继续搅拌,得到前驱体混合液;将级配碳化硅加入至前驱体混合液中,超声分散25‑30min,升温至55‑60℃,调节pH值为8.5‑9.0,搅拌反应2.0‑2.3h,经离心后过滤洗涤,干燥后冷却至室温,放入至煅烧炉,氮气气氛下,570‑600℃保温煅烧2.0‑2.2h,自然冷却至室温,得到包覆碳化硅;本发明得到陶瓷产品,致密度高,收缩率低,强度高,耐高温性能优异。