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一种氮化硅陶瓷基片及其制备方法和应用

发明专利未知
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10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

赵继雪; 齐丹; 王金兴; 张松峰; 付泉鑫; 高宏宇

申请日

Aug 24, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

C04B 35/584 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)C04B 35/638 (2006.01)C04B 35/64 (2006.01)

本发明提供了一种氮化硅陶瓷基片及其制备方法和应用,涉及无机材料技术领域。具体而言,通过冷凝回流和搅拌加热进行溶解制备得到离子型分散剂溶液和非离子型分散剂溶液;而后分别将两种溶液与氮化硅粉、硅粉进行两次球磨混合,再将两次球磨所得浆料进行第三次球磨混合,得到第三球磨浆料;依次进行脱泡、涂布、干燥、裁片、叠层和静压得到氮化硅生坯;经排胶后在氮气氛围下烧结并得到氮化硅陶瓷基片。本发明针对硅粉与氮化硅粉因密度差异及表面特性差异导致流延浆料易沉降分层、分散不均的技术难题,通过设计复合分散剂体系并结合分步球磨工艺,避免竞争吸附和硅粉过磨,协同解决了双相粉体的共分散缺陷。