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一种碳包覆碳化硅增强的碳素捣打料及其制备方法
发明专利未知
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10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
丁宇航; 刘会永; 丛培源; 项冰; 马骁一; 程水明
申请日
Jul 29, 2026
公开日
Oct 16, 2026
IPC 分类
C04B 35/66 (2006.01)
本发明属于碳素捣打料技术领域,公开了一种碳包覆碳化硅增强的碳素捣打料及其制备方法。本发明碳素捣打料包括以下质量百分比含量的原料:高功率石墨颗粒40~50%、鳞片石墨10~20%、SiC@C球形颗粒5~10%、石墨粉27~35%、碳化硼1~2%,并外加上述原料总质量10~15%的木质素改性酚醛树脂。本发明主要通过引入SiC@C球形颗粒,同时复配碳化硼等原料,使碳素捣打料具有高强度、高导热性能、良好的界面结合及抗渣侵蚀性和体积稳定性,施工后表面平整性良好,可有效改善与应用部位之间的界面结合,及时、高效地传导碳砖热量,从而延长高炉的服役寿命。