基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序产品以及基板处理装置

本发明提供一种基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序产品以及基板处理装置，能够控制容易蚀刻的部位和难以蚀刻的部位。本发明的基板处理方法具有：工序a，一边向配置在表面形成有凹部的基板的第一空间内供给调节气体，一边使所述第一空间内的压力成为第一压力；工序b，在工序a之后，向所述第一空间内供给蚀刻气体，在作为工序b中的至少一部分期间的低压期间，使所述第一空间内的压力小于所述第一压力。